半導体の製造において、ウェハーの上に形成されたIC(集積回路)は、その後1つ1つのICチップとして切り離されてからパッケージに封入されます。このチップの切り離し作業を『ダイシング』といいます。

ダイシングの方法には、ダイシングブレード(円形刃)を押し当てながら切削加工を行うブレードダイシング方式や、レーザー光を用いてウェハーの表面を加工するレーザーアブレーション方式があります。
最近では、レーザー光をウェハー内部に集光することでウェハー表面へダメージを与えず、外力を加えることでチップを分割することができるレーザーダイシング(ステルスダイシング方式)も開発されています。この方式では、加工の際の削り代がなく、また加工の際の汚染物質も生じないため洗浄水を必要としないことも特徴です。

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